Het Wafeltje van het galliumnitride

5x5/10x10 mm-Industriële Malplaatje van de het Wafeltjehvpe het Vrije Bevindende Spaander van het Galliumnitride

4 Rang 0.4mm van het duimonderzoek Vrij Bevindend Gan Wafer voor halfgeleiders

8 duimalgan/GaN Gallium Nitride Wafer For Micro- leiden

Dia 200mm AlGaN-Wafeltjen Type van Si Epi voor Micro- LEIDENE 6 Duim

Het vrije Bevindende apparaat van GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder

FSS AlN van 4inch Dia100mm GaN Template NPSS Malplaatjealgan/gan HEMT wafeltjes

Si smeerde Undoped Wafeltje van het het Galliumnitride van het Laserapparaat

Aangepaste Grootte 5x10mm het Wafeltje van het het Galliumnitride van M Axis Free Standing HVPE

Si-Fe smeerde Undoped Wafeltje van het Galliumnitride de Projectievertoning van de 2 DUIMlaser

2Inch 4inch free-standing GaN Gallium Nitride Wafer

5um van het het Aluminiumnitride van diktealn de Substraten van de het Malplaatje430um Saffier 350um sic

2 4 Duim 4-5 Um III het Wafeltje van het Galliumnitride 0,43 Mm-Saffier sic Substraten

III - Nitride Wafeltje van 2 DUIM het Vrije Bevindende GaN voor het Apparaat van de de Vertoningsmacht van de Laserprojectie

2 duimdsp SSP het Wafeltje van het Galliumnitride Epitaxial Malplaatjes van een de Substratengan van de Assaffier

2 inch 4 inch GaN-gebaseerde blauwe groene LED gegroeid op platte of PPS saffier MOCVD DSP SSP

8 inch GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N type P type Aanpassing Halfrol LED

GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF Devices Optoelectronics And LEDs

InP Wafers 6''4'', oriëntatie: 111 100, SSP DSP, hoogzuivere InP halfgeleiderwafer

InP Wafers SSP DSP VGF N-type P-type InP wafers Hoge elektronenmobiliteit Hoge warmtegeleiding

2“ Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate gaN-op-sic