Keramieksubstraat

Hoge Zuiverheid 99,7% Alumina Ceramische Dunne Filmsubstraten voor Electrocircuit

Elektronische Al2O3 van het Aluminiumoxyde de Raadsplaat op hoge temperatuur van het Keramieksubstraat

Laser die 0.3mm 0.38mm 0.5mm 0.635mm 1mm Alumina 99 de Plaat van het Keramieksubstraat snijden

Al2O3 van 3.9g cm3 de Ceramische Aluminiumoxidealumina Plaat van het Vuurvaste Bakstenenblok

0,25 blad 99.5% al2o3 van de diktekeramiek ceramisch substraat

De Platen van het Substraatbladen van de zirconiumdioxydezro2 Keramiek

2500Mpa de niet Magnetische Elastische Dunne Si3N4-Plaat van het het Bladwafeltje van het Siliciumnitride Elektro

Verdun van het Nitridesubstraten van het Filmsi3n4 Silicium het Wafeltjeblad voor Machtselektronika

Zandstraal Laser Ritsend Zirconiumdioxydealumina het Hoge Warmtegeleidingsvermogen van het Keramieksubstraat

3.8g cm3 1.5mm Laser die van de Precisie de Industriële Plak Si3O4 Keramieksubstraten machinaal bewerken

De geïsoleerde Zwarte 94 ZrO2-van de Weerstandsheatsink van het Zirconiumdioxyde Ceramische Substraat Hoge Hardheid

39W het elektronische Si3n4-de Plaatwafeltje van het Keramieksubstraat Isoleren Op hoge temperatuur

Hoge Zuiverheid 99,7% Al2o3 Ceramisch Substraat voor LEIDENE Pakketten Chip Resistors

Hoge Zuiverheid 99,6% Al2O3 Alumina Ceramisch Substraat 0.30mm Dikke 0.50mm

Tolerantie 0,005 mm Keramisch substraat voor optocommunicatie Aluminiumnitride schijf voor IGBT-pakket

Verpakking voor optische communicatie Aluminiumnitride keramisch substraat

Glanz oppervlak Ruwheid Keramisch substraat met dielectrische constante 8-9 10x10 mm

Dielectrische constante 8-9 AIN Keramisch substraat voor halfgeleidervermogenmodule

170-230 W/M.K. Keramische substraatplaat voor halfgeleider-kernmodule

Substraat van aluminiumnitride-keramiek voor elektrische apparaten met warmtegeleidbaarheid 170-230 W/m.k.