De Transistor van de siliciummacht

(3)
China SGS de Transistor van de de Transistor Hoge Macht PNP van de Siliciummacht voor Elektronische Componenten Te koop

SGS de Transistor van de de Transistor Hoge Macht PNP van de Siliciummacht voor Elektronische Componenten

Prijs: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tijd om te bezorgen: 1 - 2 Weeks
Merk: OTOMO
Hoog licht:SGS de Transistor van de Siliciummacht, De Elektronische Componenten van de hoge Machtspnp Transistor, 160V de Transistor van de siliciummacht
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURE Ÿ Switching and Amplification in High Voltage Ÿ Applications such as Telephony Ÿ Low Current Ÿ High Voltage ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 2N5401 TO-92 Bulk 1000pcs/Bag 2N5401-TA TO-92 Tape 2... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
China 600mA van de de Transistornpn Macht van de siliciummacht de Transistor hoog Stroom Te koop

600mA van de de Transistornpn Macht van de siliciummacht de Transistor hoog Stroom

Prijs: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tijd om te bezorgen: 1 - 2 Weeks
Merk: OTOMO
Hoog licht:600mA de Transistor van de siliciummacht, De Transistor hoog Stroom van de siliciummacht, NPN-de Stroom van de Machtstransistor hoog
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors A42 TRANSISTOR (NPN) FEATURE Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Breakdown Voltage Marking :D965A MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 310 V VCEO Collector-Emitter Voltage 305 V VEB... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
China 200v van de de Transistor de Hoge Huidige Transistor van de siliciummacht Lage Lekkage Te koop

200v van de de Transistor de Hoge Huidige Transistor van de siliciummacht Lage Lekkage

Prijs: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
Tijd om te bezorgen: 1 - 2 Weeks
Merk: OTOMO
Hoog licht:200v de Transistor van de siliciummacht, De Transistor Lage Lekkage van de siliciummacht, Hoge Huidige Transistor Lage Lekkage
MMBD1501A LOW LEAKAGE DIODE SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes FEATURE  Low Leakage  High Conductance Marking :A11 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Typical Characterisitics Package Outline Dimensions Symbol Dimensions In ... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website