GaN Epitaxial Wafer
(68)
4 inch P-type Mg-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~ 10Ω Cm LED-laser PIN epitaxiaal wafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
4 inch P-type Mg-gedoteerde GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer
De elektrische eigenschappen van p-type Mg-gedoteerde GaN worden onderzocht door middel van Hall-effectmetingen met variabele temperatuur.Monsters met een bereik van Mg-doteringsconcentraties w... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
625um aan 675um 4 Duim Blauwe SSP HOOFD van GaN Epitaxial Wafer On Sapphire Vlakke Saffier
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
Afmetings520±10nm 2inch groen-Geleide GaN On Silicon Wafer 20nmContact Laag
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch groen-Geleide GaN op siliciumwafeltje
Overzicht
Het galliumnitride (GaN) leidt tot een innovatieve verschuiving in heel de wereld van de machtselektronika. Voor decennia, op silicium-gebaseerde zijn MOSFETs (het Gebiedseffect van de Metaaloxidehalfgeleider Transistors) een integraal ond... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
de 2inch blauw-Geleide Laser 455±10nm van GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch blauw-Geleide GaN op siliciumwafeltje
Het galliumnitride is een halfgeleidertechnologie voor hoge macht, halfgeleidertoepassingen wordt gebruikt die met hoge frekwentie. Het galliumnitride stelt verscheidene kenmerken tentoon die het dan beter GaAs en Silicium voor diverse hoge machts... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: Nanowin
Hoog licht:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
2 inch C-face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN monokristallijn substraat Resistiviteit > 106Ω·cm RF-apparaten
Overzicht
Galliumnitride (GaN) epitaxiale wafels (epi-wafels).GaN high-electron-mobility transistors (HEMT) wafers op verschillende substraten zoals siliciumsubstraat, saffiersubst... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
4 duim p-Type MG-Gesmeerde GaN op SSP resistivity~10Ω cm van het saffierwafeltje leiden, laser, SPELDT epitaxial wafeltje
Waarom Gebruik GaN Wafers?
Het galliumnitride op saffier is het ideale materiaal voor radioenergieversterking. Het biedt een aantal voordelen over silicium, met inbegri... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
4 inch N-type UID-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand>0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
4 inch N-type UID-gedoteerde GaN op saffierwafer SSP-weerstand＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer
GaN is bijvoorbeeld het substraat dat violette (405 nm) laserdiodes mogelijk maakt, zonder gebruik te maken van niet-lineaire optische frequentieverdubbeling.De gevoeligheid voor ioniserende ... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substraat Dikte 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate
het n-type van 10*10.5mm2 het c-Gezicht Si-Gesmeerde free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
OverzichtVan het galliumnitride (GaN) het substraat is een single-crystal substraat van uitstekende kwaliteit. Het wordt gemaakt met de originele HVPE... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
Dikte 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:350 ±25 µm GaN Substrates, 10 X 10.5 mm2 GaN Substrates
10*10.5mm² C-face Niet-gedoteerd n-type vrijstaand GaN monokristallijn substraat Resistiviteit < 0.1 Ω·cm Voedingsapparaat/laser
Overzicht
GaN-substraten
GaN (galliumnitride) substraten en wafers met een hoge kwaliteit (lage dislocatiedichtheid) en de beste prijzen op de markt.
Hoogwaardi... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
10*10.5mm2 het Vliegtuig van GaN Single Crystal Substrate C (0001) Van Hoek naar m-As 0,35 ±0.15°
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:0.35 ±0.15° GaN Single Crystal Substrate
10*10.5mm c-Gezicht ² Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
OverzichtDe eigenschappen zijn hoge kristallijne, goede uniformiteit, en superieure oppervlaktekwaliteit. De GaNsubstraten worden gebruikt voor LD-toepassingen (vioo... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
5*10mm2-a-Gezicht Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparatenwafeltje van cm rf
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:5*10mm2 GaN Single Crystal Substrate
5*10mm2-a-Gezicht Un-doped Si-Type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN > 106 Ω·de apparatenwafeltje van cm rf
OverzichtDe dunne Epi wafeltjes worden algemeen gebruikt voor voorrandmos apparaten. Dikke Epi of Multi-layered epitaxial wafeltjes worden ge... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:10⁶Ω·Cm GaN Single Crystal Substrate, 10mm2 GaN Single Crystal Substrate
5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-doped Si-Type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN > 106 Ω·de apparatenwafeltje van cm rf
Overzicht
De GaN-markt van het halfgeleiderapparaat omvat zeer belangrijke bedrijven zoals Cree, Infineon Technologies, Qorvo, MACO... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/laser
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:5*10mm2 GaN single crystal substrate
5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
Overzicht
De machtsdichtheid is zeer beter in de apparaten van het galliumnitride in vergelijking met siliciumdegenen omdat GaN de capaciteit heeft om veel hogere omsch... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-Doped Si-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Het Apparaat van cm rf
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:10⁶ Ω·Cm GaN Single Crystal Substrate
5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-doped Si-Type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN > 106 Ω·de apparatenwafeltje van cm rf
Nu heeft een nieuw materiaal genoemd Galliumnitride (GaN) het potentieel om silicium als hart van elektronische spaanders te verv... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
5*10mm2-m-Gezicht Un-Doped n-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Machtsapparaat/Laser
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:Laser GaN Single Crystal Substrate
5*10mm2-m-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
OverzichtDeze GaN-wafeltjes realiseren de ongekende ultra-heldere laserdioden en apparaten van de hoog rendementmacht voor gebruik in projector lichtbronnen, omschakelaa... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
AlGaN-bufferdikte 600 nm 2 inch blauwe LED GaN op siliciumwafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:600nm GaN On Silicon Wafer, 2inch GaN On Silicon Wafer
2inch Blue-LED GaN op silicium wafer
Er zijn drie hoofdsubstraten die worden gebruikt met GaN - Siliciumcarbide (SiC), Silicium (Si) en Diamant.GaN op SiC is de meest voorkomende van de drie en is gebruikt in verschillende toepassingen in het leger en voor krachtige draadloze infrastructuurtoepa... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
GaN-substraten Ga oppervlakteruwheid < 0,2 nm (gepolijst) of < 0,3 nm (gepolijst en oppervlaktebehandeling voor epitaxie)
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:Surface Treatment GaN Substrates, Epitaxy GaN Substrates, Polished GaN Substrates
10*10.5mm² C-face Niet-gedoteerd n-type vrijstaand GaN monokristallijn substraat Resistiviteit < 0.1 Ω·cm Voedingsapparaat/laser
OverzichtWe bieden GaN-substraten van hoge kwaliteit die worden geproduceerd volgens de oorspronkelijk ontworpen HVPE-methode (Hydride Vapour Phase Epitaxy), gebru... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
4 SSP Resistivity<0.05 Ω cm van duim n-Type Si-Gesmeerde GaN On Sapphire Wafer leiden, Laser, PIN Epitaxial Wafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:Sapphire GaN Epitaxial Wafer, PIN GaN Epitaxial Wafer, 4 Inch GaN Epitaxial Wafer
4 duim n-Type Si-Gesmeerde GaN op SSP resistivity<0.05 Ω cm van het saffierwafeltje leiden, laser, SPELDT epitaxial wafeltje
Voor licht Si-Gesmeerde GaN ([Si] = 2,1 × 1016 cm −3), was de mobiliteit van het kamertemperatuur (rechts) elektron zo hoog zoals 1008 cm2 V −1 s −1, di... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website
GaN 2 inch Galliumnitride enkelkristallijnsubstraat
Prijs: Negotiable
MOQ: 1
Tijd om te bezorgen: Negotiable
Merk: Ganova
Hoog licht:GaN Gallium Nitride Single Crystal Substrate, 2inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the preparation process of gallium nitride (GaN) crystals, and it is the substrate on which gallium... Bekijk meer
➤ Op bezoek komen Website