GaN Epitaxial Wafer
(69)
4 inch P-type Mg-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~ 10Ω Cm LED-laser PIN epitaxiaal wafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
4 inch P-type Mg-gedoteerde GaN op saffierwafer SSP-weerstand ~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer
De elektrische eigenschappen van p-type Mg-gedoteerde GaN worden onderzocht door middel van Hall-effectmetingen met variabele temperatuur.Monsters met een bereik van Mg-doteringsconcentraties w... Bekijk meer
Contact nu
Fe Gesmeerd GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·De Apparaten van cm rf
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Bekijk meer
Contact nu
625um aan 675um 4 Duim Blauwe SSP HOOFD van GaN Epitaxial Wafer On Sapphire Vlakke Saffier
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Bekijk meer
Contact nu
2 inch groene LED GaN op siliciumwafer Dimensie 520±10nm
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:2 inch GaN op Silicon Wafer, Groene LED GaN op Silicon Wafer, 520nm GaN op Silicon Wafer
2inch groene LED GaN op siliciumwafel
Overzicht
Galliumnitride (GaN) zorgt voor een innovatieve verschuiving in de wereld van vermogenselektronica.Decennia lang zijn op silicium gebaseerde MOSFET's (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) een integraal onderdeel geweest van de moder... Bekijk meer
Contact nu
10 X 10,5 mm2 C Gezicht Ongedopt N Type Vrijstaand GaN Eénkristallig Substraat
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:Niet-gedopte GaN-enkelkristallensubstraat, Free-Standing GaN Single Crystal Substrate, N-type GaN enkelkristallijnsubstraat
10*10.5mm c-Gezicht ² Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
Overzicht
Het kristalsubstraten van GaN van de premiekwaliteit met lage dislocatiedichtheid (op de orde van 105 /cm2) en eenvormige oppervlakte zonder periodieke te... Bekijk meer
Contact nu
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Macro-defect Dichtheid 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistiviteit 106 Ω·Cm RF-apparaten Wafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:Het substraat van het GaN enige kristal, 10*10, 5 mm2 GaN enkelkristallijnsubstraat
het Si-Type van 10*10.5mm2 het c-Gezicht Fe-Gesmeerde free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN > 106 Ω·de apparatenwafeltje van cm rf
Overzicht
Wij verkopen direct van de fabriek, en daarom kunnen de beste prijzen op de markt voor hoogte aanbieden - het k... Bekijk meer
Contact nu
10 X 10,5 mm2 Vrijstaande GaN-substraten - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:Vrij Bevindend GaN Substrates, 10 x 10, 5 mm2 GaN-substraten
10*10.5mm² C-face Niet-gedoteerd n-type vrijstaand GaN monokristallijn substraat Resistiviteit < 0.1 Ω·cm Voedingsapparaat/laser
toepassingen
Laserdiodes: violet LD, blauw LD en groen LDVermogenselektronische apparaten, hoogfrequente elektronische apparaten
Meer dan 10 jaar ervaring m... Bekijk meer
Contact nu
TTV ≤ 10μm A-face niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,1 Ω·cm Vermogen apparaat/laser W
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:Laser W GaN enkelkristallijnsubstraat, Vermogen apparaat GaN enkelkristallijn substraat, Vrijstaande GaN-eenkristallen substraat
5*10mm2-a-Gezicht Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
OverzichtHet galliumnitride (GaN) is een zeer harde, mechanisch stabiele brede bandgaphalfgeleider. Met hogere analysesterkte, snellere omschakelingssnelheid, hoger warm... Bekijk meer
Contact nu
350 ± 25 μm Dikte Niet-gedopt, vrijstaand GaN-eenkristallig substraat van het N-type met TTV ≤ 10 μm en resistiviteit 0,1 Ω·cm
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:10 μm GaN enkelkristallijnsubstraat, Het substraat van het GaN enige kristal
5*10mm2-SP-Gezicht (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
OverzichtVan het galliumnitride (GaN) het substraat is een single-crystal substraat van uitstekende kwaliteit. Het wordt gemaakt met de originele HVPE-... Bekijk meer
Contact nu
5*10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 0,1 Ω·cm Resistiviteit voor energieapparaat
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:0.1 Ω·cm GaN enkelkristallig substraat, 5*10mm2 GaN enkelkristallijnsubstraat
5*10.5mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
De generatieve conflictueuze netwerken (GANs) zijn algoritmische architectuur die twee neurale netwerken gebruikt, kuiltjes makend in tegen andere (zo „conflic... Bekijk meer
Contact nu
5x10mm2 SP-Face 10-11 Niet-gedopte N-type vrijstaande GaN-enkelkristallen substraat met TTV ≤ 10μm Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:Free-Standing GaN Single Crystal Substrate, 5x10mm2 GaN enkelkristallijnsubstraat
5*10mm2-SP-Gezicht (10-11) Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
OverzichtGaN heeft vele ernstige voordelen over silicium, die meer efficiënte macht, sneller, en nog betere terugwinningskenmerken zijn. Nochtans, terwijl GaN a... Bekijk meer
Contact nu
Macro-defectdichtheid 0cm−2 Niet-gedopte SI-type vrijstaande GaN enkelkristallijnsubstraat voor RF-apparaten 5*10mm2 M-face
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:RF-apparaten GaN enkelkristallijnsubstraat, 5*10mm2 GaN enkelkristallijnsubstraat, Vrijstaande GaN-eenkristallen substraat
5*10mm2-m-Gezicht Un-doped Si-Type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN > 106 Ω·de apparatenwafeltje van cm rf
OverzichtDe dunne Epi wafeltjes worden algemeen gebruikt voor voorrandmos apparaten. Dikke Epi of Multi-layered epitaxial wafeltjes worden ge... Bekijk meer
Contact nu
SP-Face 11-12 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN enkelkristallig substraat Resistiviteit 0,05 Ω·cm Macro-defectdichtheid 0cm−2
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:00, 05 Ω·cm GaN enkelkristallijnsubstraat, Niet-gedopte GaN-enkelkristallensubstraat
5*10mm2SP-face (11-12) Niet-gedoteerd n-type vrijstaand GaN monokristallijn substraat Resistiviteit < 0,05 Ω·cm Voedingsapparaat/laserwafer
OverzichtOmdat GaN-transistors sneller kunnen inschakelen dan siliciumtransistors, kunnen ze de verliezen die door deze overgang worden veroorzaakt, ver... Bekijk meer
Contact nu
Vermogenstoestel 5x10 mm2 Niet-gedopt N-type vrijstaand GaN-eenkristallig substraat met resistiviteit 0,1 Ω·cm en BOW binnen 10 μm
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:0.1 Ω·cm GaN enkelkristallig substraat, 10 μm GaN enkelkristallijnsubstraat, 5x10mm2 GaN enkelkristallijnsubstraat
5*10mm2-SP-Gezicht (11-12) Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
OverzichtSinds de jaren '90, is het gebruikt algemeen in lichtgevende dioden (leiden). Het galliumnitride verspreidt een blauw die licht voor schijf-leest in bl... Bekijk meer
Contact nu
5*10mm2 SP-Face Ongedopte N-type vrijstaande GaN enkelkristallijn Substraat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistiviteit 0,05 Ω·cm
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:00, 05 Ω·cm GaN enkelkristallijnsubstraat, 10 mm2 GaN enkelkristallijnsubstraat, 20-21 GaN enkelkristallijnsubstraat
5*10mm2-SP-Gezicht (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing Weerstandsvermogen van het het enige kristalsubstraat van GaN < 0="">
OverzichtEen generatief conflictueus netwerk (GAN) bestaat uit twee delen: De generator leert om aannemelijke gegevens te produceren. De geproduceerde ... Bekijk meer
Contact nu
Afmetings520±10nm 2inch groen-Geleide GaN On Silicon Wafer 20nmContact Laag
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch groen-Geleide GaN op siliciumwafeltje
Overzicht
Het galliumnitride (GaN) leidt tot een innovatieve verschuiving in heel de wereld van de machtselektronika. Voor decennia, op silicium-gebaseerde zijn MOSFETs (het Gebiedseffect van de Metaaloxidehalfgeleider Transistors) een integraal ond... Bekijk meer
Contact nu
de 2inch blauw-Geleide Laser 455±10nm van GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch blauw-Geleide GaN op siliciumwafeltje
Het galliumnitride is een halfgeleidertechnologie voor hoge macht, halfgeleidertoepassingen wordt gebruikt die met hoge frekwentie. Het galliumnitride stelt verscheidene kenmerken tentoon die het dan beter GaAs en Silicium voor diverse hoge machts... Bekijk meer
Contact nu
2 inch C-Face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN enkelkristalsubstraatweerstand > 10⁶ Ω·cm RF-apparaten
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: Nanowin
Hoog licht:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
2 inch C-face Fe-gedoteerd SI-type vrijstaand GaN monokristallijn substraat Resistiviteit > 106Ω·cm RF-apparaten
Overzicht
Galliumnitride (GaN) epitaxiale wafels (epi-wafels).GaN high-electron-mobility transistors (HEMT) wafers op verschillende substraten zoals siliciumsubstraat, saffiersubst... Bekijk meer
Contact nu
4-duim MG-Gesmeerde SSP Resistivity~10Ω cm van GaN/Sapphire Substrates LEIDENE Laser PIN Epitaxial Wafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
4 duim p-Type MG-Gesmeerde GaN op SSP resistivity~10Ω cm van het saffierwafeltje leiden, laser, SPELDT epitaxial wafeltje
Waarom Gebruik GaN Wafers?
Het galliumnitride op saffier is het ideale materiaal voor radioenergieversterking. Het biedt een aantal voordelen over silicium, met inbegri... Bekijk meer
Contact nu
4 inch N-type UID-gedoteerd GaN op saffierwafer SSP-weerstand>0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer
Prijs: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tijd om te bezorgen: 3-4 week days
Merk: GaNova
Hoog licht:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
4 inch N-type UID-gedoteerde GaN op saffierwafer SSP-weerstand＞0,5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxiale wafer
GaN is bijvoorbeeld het substraat dat violette (405 nm) laserdiodes mogelijk maakt, zonder gebruik te maken van niet-lineaire optische frequentieverdubbeling.De gevoeligheid voor ioniserende ... Bekijk meer
Contact nu